光刻技术优缺点（光刻技术简介）

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1、中文名：光刻技术外文名：photolithography原理：光学- 化学反应原理等分类：微细加工技术曝光方式：接触式曝光，非接触式曝光集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。

2、随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。

3、光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

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